
Головная организация Минпромторга России по направлению Наноэлектроника
Научная деятельность
тел.: +7(499) 731-13-06,
+7(499) 731-16-03
факс: +7(499) 731-55-92
email: admin AT niifp.ru
Научная деятельность »
Результаты »
Интегральные схемы с однослойной топологией
ВПЕРВЫЕ - всего одна литография для изготовления ИС.
НАЗНАЧЕНИЕ: Интегральные схемы на основе технологии с одной операцией литографии - однолитграфической технологии.
Переход к однолитографической технологии ведет к ее коренным изменениям. Однократность переноса топологической информации на обрабатываемую пластину позволяет минимизировать помехи и все последующие технологические операции проводить в замкнутом контролируемом объеме. В результате достигаются следующие цели:
- максимальная стабилизация технологии;
- воспроизводимость предельно минимальных размеров;
- минимизация привносимых дефектов.
ПРИНЦИП: Кодирование основных элементов ИС (активных приборов и элементов межсоединений) элементами плоских прямоугольных графов. Пример однослойной топологии двухвходового вентиля:
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ: Микросистемы, наноэлектроника, биомолекулярная электроника.
СОСТОЯНИЕ РАЗРАБОТКИ: Выполняется моделирование технологии

Copyright (C) 1998 Государственный НИИ физических проблем
им. Ф.В.Лукина
V. V. Rakitin Integrated Circuits with Single-Layer Topology
Russian Microelectronics Vol. 25, No. 2, 1996 p. 101