Об институте  » 

 
 
 

 

 

ПРЕЙСКУРАНТ

на услуги по проведению операций и процессов технологии микроэлектроники

 для сторонних предприятий

 

№№ п/п

Наименование операции

Ед. изм.

Примечания

1

2

3

4

1.

ФОТОЛИТОГРАФИЯ
Операции фотолитографии требуют предварительного выполнения стандартных процедур химобработки и отжига

1.1

Фотокопия односторонняя без совмещения

Пластина

Толщина слоя 0,8 – 3 мкм

1.2

Фотокопия односторонняя с совмещением по знакам

1.3

Фотокопия односторонняя с совмещением по рисунку

1.4

Фотокопия двухсторонняя без контроля ориентации

Пластина

1.5

Фотокопия двухсторонняя с контролем ориентации по знакам

1.6

Фотокопия по толстому (6-12 мкм) слою позитивного фоторезиста с водно-щелочным проявлением без совмещения

Пластина

Позитивные нафтохинондиазидные фоторезисты.

1.7

Фотокопия по толстому (6-12 мкм) слою позитивного фоторезиста с водно-щелочным проявлением с совмещением по знакам

1.8

Фотокопия по толстому (12-50 мкм) слою позитивного фоторезиста с водно-щелочным проявлением без совмещения

Пластина

 

Позитивные нафтохинондиазидные фоторезисты

1.9

Фотокопия по толстому (12-50 мкм) слою позитивного фоторезиста с водно-щелочным проявлением  с совмещением по знакам

1.10

Фотокопия по толстому (12-50 мкм) слою негативного фоторезиста с водно-щелочным проявлением без совмещения

Негативные азидо-фенольные фоторезисты

1

2

3

4

1.11

Фотокопия по слою негативного азидо-каучукового фоторезиста с проявлением в органических растворителях

Пластина

ФН-11

1.12

Фотокопия по слою негативного эпокси-новолачного фоторезиста с химическим усилением с проявлением в органических растворителях

Пластина

SU-8

1.13

Проекционная фотопечать по слою позитивного фоторезиста без совмещения на установке ЭМ-584А

Пластина

 

1.14

Проекционная фотопечать по слою позитивного фоторезиста с совмещением на установке ЭМ-584А

Пластина

 

2.

ТЕРМОДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
операции термодиффузионных процессов включают стандартные процедуры  химобработки

2.1

Окисление сухое

Процесс

20-100 нм

2.2

Окисление влажное

100-1000 нм

2.3

Отжиг в азоте 850оС/15 мин

 

2.4

Отжиг в кислороде 850оС/15 мин

 

2.5

Диффузия бора

 

2.6

Диффузия фосфора

 

2.7

Вжигание контактов

 

2.8

Осаждение нитрида кремния

100 нм

2.9

Осаждение поликремния

0,4-0,7 мкм

3.

ВАКУУМНОЕ НАПЫЛЕНИЕ
операции вакуумного напыления требуют выполнения  стандартных процедур  подготовки поверхности

3.1

Напыление алюминия, меди, ниобия, никеля

Пластина

 

3.2

Напыление титана, вольфрама, хрома, кремния, нитрида титана

 

3.3

Напыление платины, ванадий, золото

 

3.4

Напыление аморфных Si:C/Si:Mo плёнок

(либо на заготовке заказчика)

 

 

4.

ПЛАЗМО-ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ И ОБРАБОТКА

4.1

Травление нитрида кремния, кремния, поликремния 1- 3 мкм

Пластина

РИТ

4.2

Зачистка (допроявление) маски

Процесс

ВЧ-плазма

08 ПХО 100Т 001

4.3

Плазмо-химическая обработка поверхности

4.4

Удаление фоторезиста 30 минут

4.5

Травление SiO2

Пластина

РИТ

4.6

Травление кремния 5 – 20 мкм

Бош-процесс

4.7

Травление кремния 20 – 100 мкм

4.8

Травление кремния 100 – 400 мкм

5.

РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ

5.1

РЭМ пластины по 5 точкам до 10 снимков

Образец

 

5.2

РЭМ пластины свыше10 снимков

Снимок

 

 

6.

НАНЕСЕНИЕ ПОЛИИМИДА
Операции нанесения требуют предварительного выполнения стандартных процедур  химобработки и отжига.

6.1

Нанесение полиимида из материала заказчика

Слой

 

7.

ФОТОШАБЛОНЫ

7.1

Подготовка данных для ZBA, ЭМ-5009А по чертежу в формате dxf, gds, ldb, sou

Слой

 

7.2

Изготовление ПФО или эталонного фотошаблона

шт.

 

7.3

Изготовление РФШ на фотоповторителе

 

7.4

Изготовление рабочей копии эталонного фотошаблона

 

8.

ЖИДКОСТНОЕ ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ И ОБРАБОТКА
перед выполнением операций жидкостного травления и обработки требуется выполнение стандартных процедур подготовки поверхности

8.1

Травление SiO2, поликремния, алюминия, хрома, вольфрама

Пластина

 

8.2

Освежение 10:1, удаление ФСС, БСС, титана

 

8.3

Удаление фоторезиста ДМФА, удаление валика фоторезиста

 

8.4

Анизотропное химическое травление кремния

 

8.5

Анизотропное химическое травление кремния с электрохимическим контролем

 

8.6

Удаление нитрида кремния в ортофосфорной кислоте

Процесс

До 8 пластин

8.7

Химическая отмывка Каро 1, Каро 2

До 25 пластин

8.8

Химическая отмывка ПАР, ПСР

До 25 пластин

 

 
 
Copyright © 1998-2017, NT-MDT